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业界最大!铠侠推出2Tb容量BiCS8 FLASH QLC闪存

分类:计算机/互联网 时间:2024-07-03 20:09 浏览:135
概述
快科技7月3日消息,铠侠宣布,推出基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的BiCS8 FLASH 2Tb QLC(四级单元)闪存,目前已开始送样。据悉,这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量,将存储器容量提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。凭借其最新的BiCS FLASH技术,通过专有工艺和创新架构,铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外,铠侠还开发了突破性的CBA(CMOS directly
内容

快科技7月3日消息,铠侠宣布,推出基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的BiCS8 FLASH 2Tb QLC(四级单元)闪存,目前已开始送样。

据悉,这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量,将存储器容量提升到一个全新的水平,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。

凭借其最新的BiCS FLASH技术,通过专有工艺和创新架构,铠侠实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。

此外,铠侠还开发了突破性的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)技术,以提供更高的位密度和业界领先的接口速度(3.6Gbps(4))。这些先进技术的应用,共同促成了2Tb QLC存储器的诞生,成就了业界容量最大的存储器。

全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍,写入能效比提高了约70%。

不仅如此,全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片,为业界提供领先的4TB容量,并采用更为紧凑的封装设计,尺寸仅为11.5 x 13.5 mm,高度为1.5 mm。

除2Tb QLC之外,铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC,1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%,读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域,包括客户端SSD和移动设备。

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